窒化アルミニウムセラミック基板

急速に進化するエレクトロニクス業界では、熱放散と信頼性が製品のパフォーマンスを決定する重要な要素となります。 窒化アルミニウム（AlN）セラミック基板優れた熱伝導性、優れた電気絶縁性、そして安定した機械特性を備えたAlNセラミック基板は、高出力・高周波電子機器にとって理想的な選択肢となりつつあります。5G通信、新エネルギー自動車、航空宇宙、産業用レーザー、半導体照明など、あらゆる分野でAlNセラミック基板は比類のないソリューションを提供し、競争の激しい市場においてお客様の製品を際立たせます。

主な特徴

優れた熱伝導率: 熱伝導率は 170 ～ 220 W/(m·K) とアルミナセラミックスをはるかに上回り、AlN は効率的に熱を放散し、高出力電子部品の安定した動作を保証します。

優れた電気絶縁性: 高い抵抗率と低い誘電損失により高周波回路に適しており、信号伝送損失が低減し、デバイスのパフォーマンスが向上します。

優れた熱膨張マッチング: 熱膨張係数はシリコンやガリウムヒ素などの半導体材料に類似しており、熱応力を効果的に低減し、デバイスの寿命を延ばします。

機械的強度と安定性: 高い強度、硬度、化学腐食に対する耐性により、過酷な環境でも信頼性と耐久性が確保されます。

精密機械加工機能: レーザー切断、穴あけ、メタライゼーションなどのプロセスをサポートし、複雑な回路設計要件を満たし、高集積パッケージングを可能にします。