800Gから3.2Tまで：熱管理においてAlNセラミックが重要な理由

800Gから3.2Tまで、AI光モジュールは急速に進化しており、内部のレーザーやチップから発生する熱も急激に増加しています。高温はデバイスの劣化を加速させるだけでなく、パッケージのストレスや光路のずれも引き起こします。そのため、 AlNセラミック （窒化アルミニウムセラミックス）は、その優れた性能により、重要な放熱材料となっている。

窒化アルミニウムは、高い熱伝導性と電気絶縁性を兼ね備えています。そのセラミック電子基板は、熱を素早く放散することができます。熱膨張係数はシリコンとリン化インジウムの両方と比較的よく一致しており、しばしば加工されます。 窒化アルミニウムシート レーザーサブマウントとして。光モジュールパッケージングだけでなく、より広範な半導体産業チェーン、熱管理セラミックフィラーなどのプロセスやステージでも、 半導体製造用窒化アルミニウムヒーターまた、半導体ウェハーのクランプも、窒化アルミニウム材料に大きく依存している。

しかし、窒化アルミニウムは典型的な硬くて脆い材料であり、加工時にエッジの欠けや表面下の亀裂が発生しやすく、光結合に直接影響します。高いデバイス信頼性を確保するには、その純度が重要です。 高純度窒化アルミニウム顆粒 そして、プロファイルの密度は 窒化アルミニウム棒サプライヤーこれらは総合的に、後続の窒化アルミニウムセラミック部品の焼結収率と加工安定性を決定する。

したがって、高品質のスクリーニング 窒化アルミニウムサプライヤー 高純度原材料から精密加工に至るまで、あらゆる工程を厳密に管理することが、光モジュールの高速動作における長期的かつ安定した動作を保証するために不可欠です。

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